Tartalmi kivonat
Dióda Diffúziós potenciál: N N U D = U T ln d 2 a ni = const , ahol U T a termikus feszültség, N d a p réteg adalékolása, N a a p réteg adalékolása, n i az intrinsic félvezetőben az elektron(lyuk)sűrűség A pn átmenet kiürített rétegében minek a töltése érvényesül? Az adalékatomok töltése (tértöltés), mivel ezek helyhez kötöttek (a töltéshordozók viszont nem). Ha növeljük a pn átmenet zárófeszültségét, a kiürített réteg szélessége nő vagy csökken? Nő, mert S = const ⋅ U D − U , ahol S a kiürített réteg szélessége, U D (=const.) a diffúziós potenciál, U a diódára kapcsolt feszültség (a zárófeszültség negatív, így S nő) Írja fel az ideális dióda karakterisztika egyenletét! UU I I = I 0 e T − 1 , U = U T ln + 1 , ahol I 0 a telítési áram, I a diódán átfolyó áram, U T a termikus feszültség, U I0 a diódán
eső feszültség Hogyan számoljuk ki a d ióda differenciális ellenállását az ideális karakterisztika szakaszon, ha ismerjük a munkaponti áramot? rd = I UT U 1 1 dU d ⋅ = ≈ T , ahol I a munkaponti áram, U T a termikus fesz. = U T ⋅ ln + 1 = U T I dI dI I I + I0 I I0 +1 0 I0 Ha növeljük a pn átmenet zárófeszültségét, a tértöltés kapacitás nő vagy csökken? CT = const , ahol C T a tértöltési kapacitás, U D (=const.) a diffúziós potenciál, U a diódára kapcsolt feszültség A UD −U zárófeszültség nő a gyök alatti kifejezés nő C T csökken! Hogyan függ a pn átmenet diffúziós töltésfelhalmozása az átfolyó áramtól? QD = I ⋅ τ = const ⋅ I , ahol I az átfolyó áram, Q D a töltésfelhalmozódás Definiálja (rajzban) a félvezető dióda záró irányú feléledési idejét (t rr )! Ha a pn átmenet adaléksűrűségeit megnöveljük, akkor a letörési
feszültség nő vagy csökken? Csökken, mert UL ~ UL ~ 1 - lavina letörés N 0.7 1 - Zener letörés N Sokszorozási tényező: M = 1 −U 1 − UL m , ahol U a diódára kapcsolt feszültség, U L a letörési feszültség, m értéke általában 3 Ha növeljük a pn átmenet hőmérsékletét, a záróirányú áram növekszik vagy csökken? Növekszik, kb. 77%-kal fokonként Ha a d ióda hőmérsékletét növeljük, az állandó zárófeszültség mellett mért záróáram nő vagy csökken? Növekszik, kb. 77%-kal fokonként Ha a dióda hőmérsékletét csökkentjük, az állandó nyitóáram mellett mért nyitófeszültség nő vagy csökken? Növekszik, Si: dU mV V = −1.67 ⋅ 10 −3 o ≈ −2 dT ° K K Melyik paramétere javul a diódának, ha az epitaxiális kivitelt alkalmazzuk? A soros ellenállás csökken